光刻胶是什么材料

『壹』 光刻胶都能做什么材料的掩膜

光刻胶肯定是要经过光刻的，氮化硅不具备光学特性， 所以不能作为UV光阻挡层。用氮化硅的不是掩膜吧？你说的不会是自对准掩膜层吧，如果是的话这一隔离层不需要光刻。

『贰』 光刻胶是大规模集成电路印刷电路版技术中的关键材料，某一光刻胶的主要成分如图所示，下列有关说法正确的

A．由结构简式可知，发生加聚反应生成高分子，单体为CH₂=CHOOCCH=CHC₆H₅，其分子式为C₁₁H₁₀O₂，故A正确；
B．C=C及苯环均与氢气发生加成反应，则1mol该物质可消耗4nmolH₂，故B错误；
C．含-COOC-，在碱性溶液中发生水解，不能稳定存在，故C错误；
D．由高分子的主链只有2个C可知，发生加聚反应，故D错误；
故选A．

『叁』 光刻胶的介绍

又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。

『肆』 什么是光刻胶以及光刻胶的种类

光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。 1、光刻胶的作用： a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。2、光刻胶的物理特性参数： a、分辨率（resolution）。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 b、对比度（Contrast）。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。 c、敏感度（Sensitivity）。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。 d、粘滞性/黏度（Viscosity）。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。单位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。 e、粘附性（Adherence）。表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。 f、抗蚀性（Anti-etching）。光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 g、表面张力（Surface Tension）。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。 h、存储和传送（Storage and Transmission）。能量（光和热）可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。3、光刻胶的分类 a、根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。 负性光刻胶（Negative Photo Resist）。最早使用，一直到20世纪70年代。曝光区域发生交联，难溶于显影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影时发生变形和膨胀。所以只能用于2μm的分辨率。 正性光刻胶（Positive Photo Resist）。20世纪70年代，有负性转用正性。正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。 b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。 传统光刻胶。适用于I线（365nm）、H线（405nm）和G线（436nm），关键尺寸在0.35μm及其以上。 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）。适用于深紫外线（DUV）波长的光刻胶。KrF（248nm）和ArF（193nm）。4、光刻胶的具体性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。 b、化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）。树脂是具有化学基团保护（t-BOC）的聚乙烯（PHS）。有保护团的树脂不溶于水；感光剂是光酸产生剂（PAG，Photo Acid Generator），光刻胶曝光后，在曝光区的PAG发生光化学反应会产生一种酸。该酸在曝光后热烘（PEB，Post Exposure Baking）时，作为化学催化剂将树脂上的保护基团移走，从而使曝光区域的光刻胶由原来不溶于水转变为高度溶于以水为主要成分的显影液。化学放大光刻胶曝光速度非常

『伍』 光刻胶的作用

光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂，是以智能管感光材料，在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分：感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚肉桂酸系（聚酯胶）和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮醌为感光化合物，以酚醛树脂为基体材料。最常用的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
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光刻胶的特点
1、在光的照射下溶解速率发生变化，利用曝光区与非曝光区的溶解速率差来实现图形的转移；
2、溶解抑制/溶解促进共同作用；
3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同；
光刻胶的主要技术参数
1、分辨率：区别硅片表面相邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
2、对比度：指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
3、敏感度：光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。
4、粘滞性/黏度：衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性：表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性：光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。
7、表面张力：液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
8、存储和传送：能量可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
光刻胶的主要作用
1、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层；
2、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。

『陆』 光刻胶是制造手机芯片必不可少的东西，你知道光刻胶是啥吗

光刻胶有成为光制扛蚀机是光刻成像的承载介质，可以利用化学反应原理讲光哥系统中经过滤波颜色后的光信息转化为能量，完成掩膜图形的复制。 有消息称，日本东北213地震使得其企业的光刻胶出现了供应告急的问题，而信越更是宣布了关闭厂区，要知道日本信越占据全球光刻胶市场的20%。而光刻胶又是半导体的关键材料，日本信越宣布关闭厂区，就意味着全球光刻胶出现了供不应求的情况，其所带来的连锁反应就是加剧了芯片急慌的问题。

有相关数据显示，2018年之中，全球半导体市场结构之中光刻胶的占比达到了5.24%，被称之为半导体的核心材料。在全球半导体光刻胶市场之中，日本企业可以说是一家独大的，随随便便就能够形成垄断的现象，其占比达到了80%。其中前面讲到过的信越以及住友化学和TOK等等都是光刻胶市场领域之中的巨头，可是日本此次突发地震，使得光刻胶市场1度面临供不应求的状况。

而上海信阳花费7.32亿元推动集成电路制造，其中ARF光刻胶与KrF光刻胶成为其公司项目的主要攻克方向。不管是南大光电还是晶锐股份，又或者是上海新阳，这些企业为中国在光刻胶领域上面的发展填上了一笔又一笔色彩，使得我们在这个领域之中不再是小白的状态。除了在光刻胶领域之中，我们在其他很多领域之中也都获得了一定的成就。相信在全国上下无数企业的努力之下，我们一定能够完成在半导体内各个领域之中的突破。虽然我们底子薄弱，但是我们有不服输的精神，尽管我们起步晚，但是我们有决心。我们不能够决定我们在全球领域内会拥有多大的地位，但是我们能够决定我们付出多少就会收获多少。

『柒』 光刻胶的作用原理和用途

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。

光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。

『捌』 光刻胶就是ito导电膜吗那么沐里沐又是什么，起什么作用呢

光刻胶是光刻胶，ITO是ITO，两回事。光刻胶（Photo resist，PR）是应用在光刻工艺中的，具备感光性，ITO（氧化铟锡）是电极材料，一般是在镀膜工艺中沉积上去的。
沐里沐是钼铝钼，是金属电极的膜层材料。
在TFT制造中，钼铝钼只是栅极源极最常见的材料而已，而栅极和源极是必要的。作为膜层材料，镀膜肯定是一整层的，不过经过光刻和刻蚀工艺后，最终剩下的就是我们想要的图案了。

『玖』 什么是su-8光刻胶

摘要:对基于SU28 胶的UV2L IGA 技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时
间对SU28 胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少
后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少, 有一个极大值。通过优化光源波
长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90164 °正角的
300μm 厚光刻胶微结构和侧壁角度为89198 °近似垂直的500μm 厚光刻胶微结构。
SU28 胶是一种在微机电系统(MEMS)
中广泛应用的负性厚光刻胶[1 ] 。由于SU28
胶光敏性较好,同时吸收系数也较小,几百微
米厚的SU28 胶进行紫外光刻,在较短的时
间内即可达到曝光剂量的要求,而且厚胶内
的曝光剂量也比较均匀[2 ] 。因此它几乎应
用到了MEMS 的各个方面,例如作为塑性机
械结构、微模具、微流体器件的微通道结构等
等[3 - 5 ] 。
由于SU28 胶可以用紫外光进行光刻,
光刻厚度达数百微米,可部分取代L IGA 技
术中的同步辐射X 光光刻工艺,这大大降低
了L IGA 技术的成本。目前利用常规的紫外
曝光工艺,文献报道的最大高深宽比值为
18[6 ] ,而对于高深宽比圆柱结构而言,所获得
的深宽比还不超过10[5 ] 。在本实验中通过
优化工艺参数得到了深宽比为20 的微圆柱
结构。衡量高深宽比微结构有两个重要的参
数:线宽变化和倾角角度。前者关系到所做
图形的可控性和精确性,而后者则关系到其
后期作为模具的可行性。在现有对于SU28
胶的研究中,人们对于表面线宽的控制已经
达到了一定的精确度[7 ] 。但是对于高深宽比
的SU28 胶来说,由于其胶厚很厚(100μm～
1 200μm) ,底部和顶部的感光量必定有差
值,要保证表面线宽变化很小,往往会造成底
部由于曝光不足而出现倒角现象( T2top) 。
尤其在300 μm 以上的胶厚中,这种现象更
为明显,而且这给之后将其作为模具以及电
镀金属模具之后的脱模带来困难。现在已经
有了一些消除倒角的方法,如灰度曝光、多次
倾斜曝光、背面曝光、用长波长光源以及减少
PGA浓度[8 - 10] 。但是这些方法都有其局限性
和缺点,如成本太高、应用受结构限制、无法进
行后续的电铸工艺、曝光时间太长等。
本文通过对工艺参数的研究,发现微结
构线宽变化并不是通常所认为的线性变化,
因此希望通过工艺参数之间的优化组合,调
节顶部和底部的线宽大小,在保证表面线宽
变化很小的前提下,得到一个垂直或正角的
SU28 胶构型,以解决其作为模具的困难,简
化和方便后续工艺。

LZ是否还需要一些这方面的实验资料！我可以发给你！！！需要的话给个邮箱地址给我，我发给你

呵呵